三星非禍首？外媒：高通晶片過熱 恐為Arm設計欠佳

高通(Qualcomm)和三星電子的旗艦晶片雙雙傳出過熱，先前各方矛頭指向三星，認為是三星4奈米製程釀禍。可是高通轉單台積(2330)後，問題並未解決，部分人士改口說，問題根源也許是Arm的新晶片架構。

BusinessKorea、PhoneArena.com 13日報導，業界人士表示，目前多數安卓(Android)旗艦機均使用高通驍龍(Snapdragon)和三星Exynos應用處理器(AP)，這些智慧機麻煩頻傳，包括過熱、表現欠佳、過度耗電等。上述處理器都採用Arm設計架構，由於三星和台積代工的晶片都有類似問題，顯示問題癥結不在晶圓代工、而是晶片設計。

高通的Snapdragon 8 Gen 1和三星的Exynos 2200設計相仿，都搭載一顆追求效能的Arm Cortex X2核心、三顆Cortex-A710大核、 四顆Cortex-A510小核。業界猜測Arm設計架構導致晶片過熱，高通的增強版晶片Snapdragon 8 Gen 1 Plus，被迫降頻Cortex X2。

但是有些專家指出，過熱可能是多重因素造成，像是製程、處理器設計、週邊元件等。相關人士說，iPhone的Bionic晶片也使用Arm設計架構，不只性能完勝、也沒有過熱問題。這可能是因為蘋果替自家智慧機量身打造了客製化處理器。

高通和三星都販售現成晶片，未針對不同智慧機做出調整，或許因而產生問題。外傳三星打算針對自家手機研發客製晶片。

傳高通旗艦晶片設計欠佳 轉單台積仍耗能

先前傳出三星電子良率差，影響高通(Qualcomm)旗艦晶片「Snapdragon 8 Gen 1」表現，高通決定轉單台積電。如今新消息指出，改由台積代工後，增強版的「Snapdragon 8 Gen 1 Plus」耗電量仍高於預期，高通恐怕得被迫降頻。

NotebookCheck 3月30日報導，南韓科技論壇Meeco的可靠爆料客，引述消息人士說法稱，高通增強版旗艦晶片Snapdragon 8 Gen 1 Plus的Cortex X2核心相當耗能；在高時脈下，吃電狀況尤為嚴重。外界原以為高通處理器耗電，是因為三星製程欠佳，雖然此種說法有一定程度的真實性，新消息顯示，高通的Arm核心設計或許也導致處理器表現差強人意。

有鑑於此，高通可能得降頻這款處理器的Cortex X2核心。這表示Snapdragon 8 Gen 1和Snapdragon 8 Gen 1 Plus，性能差異不會太大。儘管如此，有了台積的精湛工藝加持，Plus增強版晶片的表現，仍有望優於非Plus系列。