三星開始量產1TB的手機記憶體，可望率先應用於Galaxy S10

三星電子（Samsung Electronics）1月30日宣布，已經開始量產業界首款容量高達1TB的嵌入式通用快閃記憶體（embedded Universal Flash Storage，eUFS）2.1，外界則預期eUFS 2.1模組，將會率先應用在三星預計於今年2月發表的Galaxy S10系列手機上。

三星在4年前發表第一個UFS解決方案時的容量為128GB，4年後它的容量成長了8倍，也讓手機的儲存容量得以媲美筆電，而不必再透過額外的記憶卡來擴充容量。

三星執行副總裁Cheol Choi表示，1TB的eUFS將在新一代行動裝置上扮演重要角色，三星將確保供應鏈的穩定度及生產品質，以適時地支援各種即將問世的旗艦手機。

1TB的eUFS 2.1模組尺寸與512GB的版本一樣，都是11.5mm x 13.0mm，除了容量加倍之外，也採用了全新的控制器，擁有1TB容量的手機將可用來存放260部10分鐘的4K影片，大幅超越64GB容量手機的13部。

除了容量變大之外，三星強調1TB的eUFS也有出色的速度表現，每秒最快可傳輸1,000MB的資料量，連續讀取速度是傳統2.5吋SSD的2倍，5GB的影片在5秒鐘就能傳輸完成，比傳統microSD卡快上10倍。

1TB的eUFS在隨機讀取速度上也比512GB版本快了38%，隨機寫入速度則是高效能microSD卡的500倍，將能支援新一代旗艦手機的高階攝影功能。

三星將在今年上半年擴大第五代V-NAND工廠的產能，以滿足全球行動裝置製造商對1TB eUFS的需求。

三星首款 1TB 快閃記憶體開始生產，手機儲存容量似乎快追上 PC 了

在推出 128GB 容量 eUFS 2.1 儲存晶片 4 年後，三星終於將手機儲存容量提升至 1TB 級別。近日，三星在其官網正式宣佈，將量產業界首款適用於智慧型手機和行動裝置的 1TB 容量 eUFS 2.1 儲存晶片，並計畫於 2019 年上半年在其位於韓國 Pyeongtaek 工廠擴大其第 5 代 512Gb V-NAND 快閃記憶體顆粒的產能，以滿足全球行動裝置製造商對 1TB eUFS 儲存晶片的需求。

對此，三星電子內存銷售和行銷執行副總裁 Cheol Choi 表示：

1TB eUFS 儲存晶片（的出現），預計將為下一代行動裝置在更多媲美高階筆電的用戶體驗方面，發揮著關鍵的作用。

據瞭解，1TB eUFS 2.1 儲存晶片可以儲存 260 份時長為 10 分鐘的 4K 影片，與之對比目前主流的 64GB 儲存晶片只能儲存 10 份同等規格的影片。

這些 1TB eUFS 2.1 儲存晶片與三星於 2017 年底推出的 512GB eUFS 2.1 儲存晶片的封裝尺寸規格一致，均為 11.5mm x 13.0mm，這意味著那些計畫搭載 1TB 儲存容量的智慧型手機，不需要因此改變機身內部的設計構造。

1TB eUFS 2.1 儲存晶片由搭載 16 個堆疊的 512Gb 三星 V-NAND 顆粒和新開發的專用控制器構成，它的連續讀取速度最高為 1000 MB/s、連續寫入速度最高為 260 MB/s、隨機讀取速度最高為 58000 IOPS、隨機寫入速度最高為 50000 IOPS。

根據三星的說法，這款晶片在隨機讀取速度方面比 512GB 版本的 eUFS 2.1 儲存晶片快 38%，隨機寫入速度比高性能 micoSD 卡（100 IOPS）快 500 倍；而其連續讀取速度差不多是傳統 2.5 英吋 SATA 固態硬碟的 2 倍，是常規 microSD 卡的 10 倍。

儘管 1TB eUFS 2.1 儲存晶片已經開始投入生產，但首款搭載 1TB 儲存容量的智慧型手機將花落誰家，仍無法確定，一部分外媒認為，伴隨著三星宣佈量產 1TB eUFS 2.1 儲存晶片，即將在下個月發佈的三星 Galaxy S10 系列機型或許有望成為首款搭載 1TB 儲存容量的智慧型手機。

不過，真正的問題是你真的需要 1TB 容量的手機嗎？