三星量產手機使用的256GB快閃記憶體晶片,連續寫入速度則是micro SD卡的3倍

三星開始量產供手機使用的256GB快閃記憶體晶片

目前全球高階智慧型手機的內建儲存容量最高都只到128GB,例如蘋果的iPhone 6s/6s Plus或三星的Galaxy S6/S6 Edge。

三星指出,UFS 2.0記憶體的每秒輸入/輸出操作次數分別可達4.5萬次與4萬次,除了大幅超越前一代的每秒1.9萬次與1.4萬次以外,其連續讀取速度是SATA SSD的兩倍快,連續寫入速度則是micro SD卡的3倍快。


連續寫入速度則是micro SD卡的3倍?看樣子寫入速度應該是相當慢!只有「讀取速度是SATA SSD的兩倍」很快!

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