英特爾與美光發表3D XPoint記憶體技術，比NAND快1000倍！

英特爾（Intel）與美光科技（Micron）周二（7/28）共同發表一創新的記憶體技術3D XPoint，藉由獨特的複合材料與十字交叉架構，讓新記憶體技術的密度比傳統記憶體高10倍，速度與耐用度都是NAND的1000倍，號稱是自1989年NAND快閃晶片推出以來的第一個新記憶體類別，已準備於今年開始送樣。

3D XPoint採用交叉點陣列結構，把每個記憶體儲存單位置放在字組線（word line）與位元線（bit line）的交叉點上，每個儲存單元存放一個位元的資料，還可堆疊記憶體儲存單元，允許系統單獨存取每個儲存單元，並有可省略對電晶體需求的選擇器設計。微型化的儲存單元、可快速切換的選擇器、低延遲交叉的結構陣列，再加上快速寫入的演算法，讓儲存單元可快速切換運作狀態。

英特爾與美光標榜3D XPoint技術的效能與耐用度，指出3D XPoint技術的速度是NAND的1000倍，硬碟的延遲以毫秒計算，NAND的延遲以微秒計，而3D XPoint技術的延遲則是以奈秒計算。若把電腦儲存比喻為旅行，那麼硬碟可以4天內從紐約開車到洛杉磯（2500哩），固態硬碟在同樣的時間內則可送你到月球（24萬哩），3D XPoint在4天內可讓人們往返火星（2.8億哩）。

英特爾及美光已開始生產3D XPoint技術並準備在今年送樣給特定客戶，同時雙方也正在開發基於3D XPoint技術的各式產品，可望於明年陸續發表。